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電介質全反射鏡
:S05
外型尺寸圖
Spec
品名介電質全反射鏡
外徑φD[mm]20～50
厚度t[mm]5～6
產品説明在光學研磨後的玻璃基板上經過交互折射率不同膜鍍氣的電介質多層膜全反射鏡。
Option
中心波長[nm]
波長帶域[nm]
適用雷射
外徑φD[mm]
厚度t[mm]
類型
Relevant product
Spec List
S05-20-1000E 介電質全反射鏡 圓形 BK7 1064 1020～1080 YAG雷射(1064nm) 20 5 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 YAG雷射(1064nm)用
S05-20-1300E 介電質全反射鏡 圓形 BK7 1300 1250～1350 半導體雷射(1300nm) 20 5 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 半導體雷射(1300nm)用
S05-20-1550E 介電質全反射鏡 圓形 BK7 1550 1500～1600 半導體雷射(1550nm) 20 5 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 半導體雷射(1550nm)用
S05-20-405N 介電質全反射鏡 圓形 BK7 405 390～430 半導體雷射(405nm) 20 5 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 半導體雷射(405nm)用
S05-20-500E 介電質全反射鏡 圓形 BK7 500 480～540 Argon ion 雷射(488nm/514.5nm)/YAG雷射二倍波(532nm) 20 5 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 Argon ion・YAG雷射二倍波(500nm)雷射用
S05-20-633E 介電質全反射鏡 圓形 BK7 633 600～660 He-Ne雷射(632.8nm)/半導體雷射(650nm) 20 5 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 He-Ne雷射(633nm)・半導體雷射(650nm)
S05-20-800E 介電質全反射鏡 圓形 BK7 800 765～845 半導體雷射(780nm/830nm) 20 5 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 半導體雷射(780nm/830nm)用
S05-25-1000E 介電質全反射鏡 圓形 BK7 1064 1020～1080 YAG雷射(1064nm) 25 5 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 YAG雷射(1064nm)用
S05-25-405N 介電質全反射鏡 圓形 BK7 405 390～430 半導體雷射(405nm) 25 5 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 半導體雷射(405nm)用
S05-25-500E 介電質全反射鏡 圓形 BK7 500 480～540 Argon ion 雷射(488nm/514.5nm)/YAG雷射二倍波(532nm) 25 5 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 Argon ion・YAG雷射二倍波(500nm)雷射用
S05-25-633E 介電質全反射鏡 圓形 BK7 633 600～660 He-Ne雷射(632.8nm)/半導體雷射(650nm) 25 5 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 He-Ne雷射(633nm)・半導體雷射(650nm)
S05-25-800E 介電質全反射鏡 圓形 BK7 800 765～845 半導體雷射(780nm/830nm) 25 5 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 半導體雷射(780nm/830nm)用
S05-30-1000E 介電質全反射鏡 圓形 BK7 1064 1020～1080 YAG雷射(1064nm) 30 5 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 YAG雷射(1064nm)用
S05-30-1300E 介電質全反射鏡 圓形 BK7 1300 1250～1350 半導體雷射(1300nm) 30 5 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 半導體雷射(1300nm)用
S05-30-1550E 介電質全反射鏡 圓形 BK7 1550 1500～1600 半導體雷射(1550nm) 30 5 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 半導體雷射(1550nm)用
S05-30-354N 介電質全反射鏡 圓形 BK7 354 345～380 YAG雷射三倍波(354.7nm) 30 5 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 YAG雷射三倍波(354.7nm)用
S05-30-405N 介電質全反射鏡 圓形 BK7 405 390～430 半導體雷射(405nm) 30 5 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 半導體雷射(405nm)用
S05-30-500E 介電質全反射鏡 圓形 BK7 500 480～540 Argon ion 雷射(488nm/514.5nm)/YAG雷射二倍波(532nm) 30 5 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 Argon ion・YAG雷射二倍波(500nm)雷射用
S05-30-633E 介電質全反射鏡 圓形 BK7 633 600～660 He-Ne雷射(632.8nm)/半導體雷射(650nm) 30 5 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 He-Ne雷射(633nm)・半導體雷射(650nm)
S05-30-800E 介電質全反射鏡 圓形 BK7 800 765～845 半導體雷射(780nm/830nm) 30 5 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 半導體雷射(780nm/830nm)用
S05-50-500E 介電質全反射鏡 圓形 BK7 500 480～540 Argon ion 雷射(488nm/514.5nm)/YAG雷射二倍波(532nm) 50 6 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 Argon ion・YAG雷射二倍波(500nm)雷射用
S05-50-633E 介電質全反射鏡 圓形 BK7 633 600～660 He-Ne雷射(632.8nm)/半導體雷射(650nm) 50 6 ＋0/-0.2mm 0.1 5 電介質多層膜 RsRp>99% 45° 反射波面 λ/10 λ=632.8nm MIL 劃痕&麻點40-20 中心90%的圓 He-Ne雷射(633nm)・半導體雷射(650nm)
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